Giới thiệu
FQPF10N60C (thường được gọi tắt là 10N60) là MOSFET kênh N công suất cao, chịu được điện áp 600V và dòng dẫn 10A, rất phù hợp cho các ứng dụng công suất như nguồn xung (SMPS), bộ chuyển đổi công suất, inverter, driver tải và mạch điều khiển động cơ. Sử dụng vỏ TO-220F cách ly, linh kiện đảm bảo tản nhiệt tốt, an toàn và dễ dàng lắp đặt trên PCB hoặc gắn vào tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 10A.
-
Công nghệ tối ưu cho ứng dụng nguồn xung và tải công suất.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm thất thoát.
-
Vỏ TO-220F cách ly hoàn toàn, thuận tiện khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao trong môi trường công suất.
-
Dễ dàng thay thế cho các MOSFET 10A–600V khác cùng chuẩn.


K3155 2SK3155 TO220F N Mosfet 15A 150V
74VHC373FT 74HC373D 74HC373F TSSOP
K3177 2SK3177 TO220F N Mosfet 15A 200V
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
TNY278GN IC nguồn xung SOP-7
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
L217 LTV217 ACPL217 HCPL217 SOP4 photo opto
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY290PG IC nguồn xung DIP-7
74HC00PW (74VHC00) TSSOP14
K3115 2SK3115 TO220F N Mosfet 6A 600V
74HCT157DR 74HC157 SOP16-3.9mm
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
24C16N, AT24C16N, AT24C16, AT24C16A eeprom DIP-8
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
74HC74 74LV74APWR TSSop14
74HC164D SOP14-5.2 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.