Giới thiệu
FQPF10N60C (thường được gọi tắt là 10N60) là MOSFET kênh N công suất cao, chịu được điện áp 600V và dòng dẫn 10A, rất phù hợp cho các ứng dụng công suất như nguồn xung (SMPS), bộ chuyển đổi công suất, inverter, driver tải và mạch điều khiển động cơ. Sử dụng vỏ TO-220F cách ly, linh kiện đảm bảo tản nhiệt tốt, an toàn và dễ dàng lắp đặt trên PCB hoặc gắn vào tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 10A.
-
Công nghệ tối ưu cho ứng dụng nguồn xung và tải công suất.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm thất thoát.
-
Vỏ TO-220F cách ly hoàn toàn, thuận tiện khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao trong môi trường công suất.
-
Dễ dàng thay thế cho các MOSFET 10A–600V khác cùng chuẩn.


K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
DPM06T60CG1 IGBT công suất
30622PN ECN30622PN DIP-26 IC driver chính hãng HITACHI
SCM1274MF
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
TC74HC541AF 74HC541A sop20 5.2mm
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
TA8050P SIP7 IC DRIVER 1.5A MOTOR
74HC540 74VHC540FT TSSOP20
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K851 2SK851 TO3P Mosfet
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
K3004 2SK3004 TO220F N Mosfet 250V
K3177 2SK3177 TO220F N Mosfet 15A 200V
SLA7026M ZIP-18 IC Driver động cơ chính hãng SANKEN
2SK3151 K3151 TO3P N MOSFET 50A 100V High Speed Power Switching 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.