Giới thiệu
FQPF10N60C (thường được gọi tắt là 10N60) là MOSFET kênh N công suất cao, chịu được điện áp 600V và dòng dẫn 10A, rất phù hợp cho các ứng dụng công suất như nguồn xung (SMPS), bộ chuyển đổi công suất, inverter, driver tải và mạch điều khiển động cơ. Sử dụng vỏ TO-220F cách ly, linh kiện đảm bảo tản nhiệt tốt, an toàn và dễ dàng lắp đặt trên PCB hoặc gắn vào tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 10A.
-
Công nghệ tối ưu cho ứng dụng nguồn xung và tải công suất.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm thất thoát.
-
Vỏ TO-220F cách ly hoàn toàn, thuận tiện khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao trong môi trường công suất.
-
Dễ dàng thay thế cho các MOSFET 10A–600V khác cùng chuẩn.


K3177 2SK3177 TO220F N Mosfet 15A 200V
24C04N AT24C04 IC EEPROM DIP-8
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
FSBB15CH60F Module công suất
25Q64FWSIG IC nhớ 64M-BIT SOP-8
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
74HC123PW(74LV123PW) TSSOP16-4.4mm
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
K851 2SK851 TO3P Mosfet
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.