Giới thiệu
FQPF10N60C (thường được gọi tắt là 10N60) là MOSFET kênh N công suất cao, chịu được điện áp 600V và dòng dẫn 10A, rất phù hợp cho các ứng dụng công suất như nguồn xung (SMPS), bộ chuyển đổi công suất, inverter, driver tải và mạch điều khiển động cơ. Sử dụng vỏ TO-220F cách ly, linh kiện đảm bảo tản nhiệt tốt, an toàn và dễ dàng lắp đặt trên PCB hoặc gắn vào tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 10A.
-
Công nghệ tối ưu cho ứng dụng nguồn xung và tải công suất.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm thất thoát.
-
Vỏ TO-220F cách ly hoàn toàn, thuận tiện khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao trong môi trường công suất.
-
Dễ dàng thay thế cho các MOSFET 10A–600V khác cùng chuẩn.


K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
4N27 Opto DIP-6
TNY264GN IC nguồn xung SOP-7
TNY285PG DIP-7 IC nguồn
K513 2SK513 TO220 N Mosfet 3A 800V
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.