Giới thiệu
FQPF10N60C (thường được gọi tắt là 10N60) là MOSFET kênh N công suất cao, chịu được điện áp 600V và dòng dẫn 10A, rất phù hợp cho các ứng dụng công suất như nguồn xung (SMPS), bộ chuyển đổi công suất, inverter, driver tải và mạch điều khiển động cơ. Sử dụng vỏ TO-220F cách ly, linh kiện đảm bảo tản nhiệt tốt, an toàn và dễ dàng lắp đặt trên PCB hoặc gắn vào tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 10A.
-
Công nghệ tối ưu cho ứng dụng nguồn xung và tải công suất.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm thất thoát.
-
Vỏ TO-220F cách ly hoàn toàn, thuận tiện khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao trong môi trường công suất.
-
Dễ dàng thay thế cho các MOSFET 10A–600V khác cùng chuẩn.


K513 2SK513 TO-220 3A 800V
K3177 2SK3177 TO-220F 15A 200V
PS21245-AP IGBT Mitsubishi 20A-600V
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
TNY285PG DIP-7 IC nguồn
K2507 2SK2507 TO220F 25A 40V
NE5534P NE5534 DIP-8
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
K2952 2SK2952 TO220F 8.5A 400V
K3067 2SK3067 TO-220F 2A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.