Giới thiệu
FQPF10N60C (thường được gọi tắt là 10N60) là MOSFET kênh N công suất cao, chịu được điện áp 600V và dòng dẫn 10A, rất phù hợp cho các ứng dụng công suất như nguồn xung (SMPS), bộ chuyển đổi công suất, inverter, driver tải và mạch điều khiển động cơ. Sử dụng vỏ TO-220F cách ly, linh kiện đảm bảo tản nhiệt tốt, an toàn và dễ dàng lắp đặt trên PCB hoặc gắn vào tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 10A.
-
Công nghệ tối ưu cho ứng dụng nguồn xung và tải công suất.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm thất thoát.
-
Vỏ TO-220F cách ly hoàn toàn, thuận tiện khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao trong môi trường công suất.
-
Dễ dàng thay thế cho các MOSFET 10A–600V khác cùng chuẩn.


K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V
74HC273AF SOP20-5.2mm
TOP247YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
74HC32 74LV32APW TSSop14
K851 2SK851 TO3P Mosfet
74HC595P 74LV595 74VHC595FT TSSop16-4.4mm
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
74HC244AF 74VHC244F SOP20 5.2mm
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
74VHC86FT 74HC86PW TTSSOP14
K2996 2SK2996 TO220F N Mosfet 10A 600V
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
2SK2638 K2638 TO220F N MOS 10A 450V
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
K513 2SK513 TO220 N Mosfet 3A 800V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.