Giới thiệu về SDM30G60FB
SDM30G60FB là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) với khả năng chịu dòng điện 15A và điện áp tối đa 600V. Module này được thiết kế để cung cấp khả năng chuyển mạch hiệu quả và tổn thất thấp trong các hệ thống điện tử công suất cao, thường được sử dụng trong các bộ biến tần, bộ nguồn công suất cao, và các hệ thống điều khiển động cơ.
Sơ đồ cấu tạo SDM15G60FB



PSS20S71F6 IGBT Mitsubishi 20A 600V
C339G, UPC339, UPC339G IC so sánh SOP-14
UC3846DW IC nguồn SOP-16
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
Opto 211EH AQY211EH SOP-4
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
PS21254 / PS21254-E / PS21245-AP / PS21255-E / PS21244-AP Module IPM
PS2501-4 PS2501 Opto DIP-16
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
PM10CSJ060 10A 600V module IPM
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
TNY278PN IC nguông xung DIP-7
74HC4053A TSSop16
GBU406 Diode cầu 4A 600V
STGIPS20K60 GIPS20K60 20K60 20A 600V
TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
TB6560AHQ IC điều khiển cho động cơ bước HZIP25
6MBP20RTA060-01 IGBT Fuji 20A 600V
K3004 2SK3004 TO220F N Mosfet 250V
30622PN ECN30622PN DIP-26 IC driver chính hãng HITACHI
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
74HC164D SOP14-3.9mm
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.