Giới thiệu về SDM30G60FB
SDM30G60FB là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) với khả năng chịu dòng điện 15A và điện áp tối đa 600V. Module này được thiết kế để cung cấp khả năng chuyển mạch hiệu quả và tổn thất thấp trong các hệ thống điện tử công suất cao, thường được sử dụng trong các bộ biến tần, bộ nguồn công suất cao, và các hệ thống điều khiển động cơ.
Sơ đồ cấu tạo SDM15G60FB



PS21254 / PS21254-E / PS21245-AP / PS21255-E / PS21244-AP Module IPM
IR2104S IR2104 IC Điều Khiển(DRIVER)
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
IKCM30L60GA Module công suất IPM
TNY278PN IC nguông xung DIP-7
IR2103S, IR2103 IC High And Low Driver
PSS20S71F6 IGBT Mitsubishi 20A 600V
FSBB30CH60C Module công suất IPM Fairchild 30A 600V
PSS30S92F6-AG Module công suất IGBT Mitsubishi 1200V 30A
K2391, 2SK2391 Mosfet Kênh-N 100V/20A TO-220
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
FSBB30CH60 30A600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.