Giới thiệu
IGBT G80N60UFD là một loại transistor lưỡng cực cổng cách ly (Insulated Gate Bipolar Transistor) có khả năng xử lý dòng điện lớn và điện áp cao, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.

2SK3151 K3151 TO3P N MOSFET 50A 100V High Speed Power Switching
1 × 27.000 ₫
FSBB15CH60F Module công suất
1 × 210.000 ₫ Tổng số phụ: 237.000 ₫
44.000 ₫
IGBT G80N60UFD là một loại transistor lưỡng cực cổng cách ly (Insulated Gate Bipolar Transistor) có khả năng xử lý dòng điện lớn và điện áp cao, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.