Giới thiệu
IGBT G80N60UFD là một loại transistor lưỡng cực cổng cách ly (Insulated Gate Bipolar Transistor) có khả năng xử lý dòng điện lớn và điện áp cao, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.

K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
1 × 9.000 ₫
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
1 × 22.000 ₫
Đĩa quang. Đĩa phát xung 10105007 moto trục chính juki DDL8000A (encode juki DDL8000A)
1 × 150.000 ₫
IKCM15F60GA Module công suất IPM
1 × 165.000 ₫ Tổng số phụ: 346.000 ₫
44.000 ₫
IGBT G80N60UFD là một loại transistor lưỡng cực cổng cách ly (Insulated Gate Bipolar Transistor) có khả năng xử lý dòng điện lớn và điện áp cao, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.