FGA60N65SMD / FGA60N65 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do ON Semiconductor sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng nguồn công nghiệp, biến tần, bộ nghịch lưu, UPS và điều khiển động cơ. Với khả năng chịu dòng 60A và điện áp 650V, linh kiện này mang lại hiệu suất cao, tổn hao thấp và độ tin cậy vượt trội trong môi trường hoạt động khắt khe.
FGA60N65SMD, FGA60N65 IGBT 60A 650V 600W TO3P
36.000 ₫
Mã sản phẩm: FGA60N65SMD / FGA60N65
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
STGIPS20K60 GIPS20K60 20K60 20A 600V
Đĩa quang.Đĩa tạo xung 1000CPR dùng moto X,Y,Z,O máy may lập trình khổ to
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
PM10CSJ060 10A 600V module IPM
mã hóa encode moto trục chính máy may JUKI DDL8100B
TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
IKCM15L60GD Module công suất IPM
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
K3115 2SK3115 TO220F N Mosfet 6A 600V
Mã hóa encode moto trục chính bo Qixing loại B
TOP247YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
STGIPS10K60A GIPS10K60A GIPS10K60 10A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.