FGA60N65SMD, FGA60N65 IGBT 60A 650V 600W TO3P

FGA60N65SMD / FGA60N65 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do ON Semiconductor sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng nguồn công nghiệp, biến tần, bộ nghịch lưu, UPS và điều khiển động cơ. Với khả năng chịu dòng 60A và điện áp 650V, linh kiện này mang lại hiệu suất cao, tổn hao thấp và độ tin cậy vượt trội trong môi trường hoạt động khắt khe.