FGA60N65SMD / FGA60N65 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do ON Semiconductor sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng nguồn công nghiệp, biến tần, bộ nghịch lưu, UPS và điều khiển động cơ. Với khả năng chịu dòng 60A và điện áp 650V, linh kiện này mang lại hiệu suất cao, tổn hao thấp và độ tin cậy vượt trội trong môi trường hoạt động khắt khe.
FGA60N65SMD, FGA60N65 IGBT 60A 650V 600W TO3P
36.000 ₫
Mã sản phẩm: FGA60N65SMD / FGA60N65
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
TOP245YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
K2391, 2SK2391 Mosfet Kênh-N 100V/20A TO-220
FSBB30CH60 30A600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.