DPM06T60CG1 là IGBT công suất (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao, được tích hợp diode hồi tiếp, phù hợp cho các ứng dụng công suất vừa và nhỏ như nguồn xung, biến tần, điều khiển động cơ và bộ nghịch lưu. Với khả năng chịu điện áp lên đến 600V và dòng định mức 6A, linh kiện này đảm bảo độ ổn định, hiệu suất chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao trong môi trường công nghiệp.
DPM06T60CG1 IGBT công suất
190.000 ₫
Mã sản phẩm : DPM06T60CG1
Loại linh kiện: IGBT
Điện áp: 600V
Dòng điện: 6A
Hình thức :
Tình trạng : Còn hàng


STK621-739 IC Điều Khiển Motor
K2225, 2SK2225 Mosfet Kênh-N 1500V/2A TO-3P mới
74HC259 74HC259D SN74HC259DR SOP16
K10A50D TK10A50D 500V 10A TO-220F
M7512B MSM7512BGS-K SOP-24
PM20CEE060 PM20CEE060-5
FS70UM-2, FS70UM N-Channel MOSFET 70A/100V TO-220
K3004 2SK3004 TO220F N Mosfet 250V
SCM1272MF 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.