DPM06T60CG1 là IGBT công suất (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao, được tích hợp diode hồi tiếp, phù hợp cho các ứng dụng công suất vừa và nhỏ như nguồn xung, biến tần, điều khiển động cơ và bộ nghịch lưu. Với khả năng chịu điện áp lên đến 600V và dòng định mức 6A, linh kiện này đảm bảo độ ổn định, hiệu suất chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao trong môi trường công nghiệp.
DPM06T60CG1 IGBT công suất
190.000 ₫
Mã sản phẩm : DPM06T60CG1
Loại linh kiện: IGBT
Điện áp: 600V
Dòng điện: 6A
Hình thức :
Tình trạng : Còn hàng


K2926 2SK2926 TO252 N MOSFET 25A 60V
Thạch anh dao động 4M chân HC-49S-SMD(2 chân dán)
Bọt biển 35x55x2mm
CD4541 CD4541BE 4541 DIP-14
TC4069UBF, 4069UBF, SOP14-5.2
Thạch anh dao động 27.12M chân dán SMD3225-4P 3.2*2.5mm
C784V, ACPL-C784V Opto SOP-8
LR120N IRLR120N TO-252 100V 10A
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
74HC138 74LV138APW TSSOP16 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.