DPM06T60CG1 là IGBT công suất (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao, được tích hợp diode hồi tiếp, phù hợp cho các ứng dụng công suất vừa và nhỏ như nguồn xung, biến tần, điều khiển động cơ và bộ nghịch lưu. Với khả năng chịu điện áp lên đến 600V và dòng định mức 6A, linh kiện này đảm bảo độ ổn định, hiệu suất chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao trong môi trường công nghiệp.
DPM06T60CG1 IGBT công suất
190.000 ₫
Mã sản phẩm : DPM06T60CG1
Loại linh kiện: IGBT
Điện áp: 600V
Dòng điện: 6A
Hình thức :
Tình trạng : Còn hàng


SUM110N10-09 Mosfet kênh N 110A 100V TO-263
NE5534DR NE5534P 5534 IC OPAMP SOP-8
Thạch anh dao động 7.68MHZ chân HC-49S(dip2)
CD40106BM, CD40106 IC số Sop 14
MAX6675ISA MAX6675 SOP-8 IC
K3561 2SK3561 Mosfet kênh N 8A 500V
11N08A FTP11N08A TO220 MOSFET
74HC32 74LV32APW TSSop14 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.