Giới thiệu
K2926 (2SK2926) là MOSFET kênh N công suất cao, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch, điều khiển nguồn, tải DC và thiết bị công nghiệp. Với khả năng chịu điện áp 60 V và dòng tải tối đa 25 A, MOSFET này mang lại hiệu suất cao, điện trở dẫn thấp và độ tin cậy tuyệt vời trong các mạch nguồn xung hoặc mạch điều khiển động cơ.
Đặc điểm nổi bật
- MOSFET kênh N, điện áp chịu đựng 60 V, dòng tải lên đến 25 A
- Đóng gói TO-252 (DPAK) nhỏ gọn, tản nhiệt tốt, dễ lắp đặt trên PCB
- Điện trở dẫn thấp, giúp giảm tổn hao và tăng hiệu suất chuyển mạch
- Phù hợp cho mạch nguồn xung, bộ nguồn SMPS, điều khiển động cơ và thiết bị công suất
- Độ tin cậy cao, hoạt động ổn định trong dải nhiệt rộng
Bảng thông số
| Thông số | Giá trị |
|---|---|
| Model | K2926 / 2SK2926 |
| Loại transistor | MOSFET kênh N |
| Điện áp chịu đựng (Vds) | 60 V |
| Dòng dẫn liên tục (Id) | 25 A |
| Điện trở dẫn (Rds(on)) | Thấp (khoảng vài mΩ) |
| Kiểu đóng gói | TO-252 (DPAK) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ +150°C |

P280 TLP280-1 SOP-4
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
IKCM15L60GD Module công suất IPM
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
PM30CSJ060 Module IGBT Mitsubishi 30A-600V
IR2108 2108 DIP8 IC ĐIỀU KHIỂN MOSFET (DRIVER)
TB6560AHQ IC điều khiển cho động cơ ZIP25
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V
FSBB15CH60 IGBT 15A 600V
6N139, A6N139, EL6N139 Opto DIP-8
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.