DPM06T60CG1 là IGBT công suất (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao, được tích hợp diode hồi tiếp, phù hợp cho các ứng dụng công suất vừa và nhỏ như nguồn xung, biến tần, điều khiển động cơ và bộ nghịch lưu. Với khả năng chịu điện áp lên đến 600V và dòng định mức 6A, linh kiện này đảm bảo độ ổn định, hiệu suất chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao trong môi trường công nghiệp.
DPM06T60CG1 IGBT công suất
190.000 ₫
Mã sản phẩm : DPM06T60CG1
Loại linh kiện: IGBT
Điện áp: 600V
Dòng điện: 6A
Hình thức :
Tình trạng : Còn hàng


Diode Schottky BAT54A kí hiệu KL2 SOT-23 200mA 30V
74LCX125MX 74HC125 SOP14-3.9mm
GBU610 KBU610 Diode cầu 6A 1000V
74HC259 74HC259D SN74HC259DR SOP16
MUR3060PT TO-247 Diode 30A 600V
2SK211-GR KG SOT23 N Mosfet 1.5A 60V
MUR3060PA TO-247 Diode 30A 600V
LM2596S-5.0, LM2596 IC nguồn TO-263
2SK3515 K3515 TO220F N Mosfet 8A 450V
L7912CV L7912 7912 IC ổ áp nguồn -12V 1.5A TO-220
GBJ2510 Diode Cầu 25A/1000V
D25XB80 DIOD Cầu chỉnh lưu 800V 25A
VP3082, HVD3082 IC Giao Tiếp RS-485 SOP-8
FGD4536 4536 360V 50A TO-252
TLP351, TLP 351 SOP-8
Transistor MMBT2907 kí hiệu 2F SOT-23 0.8A / 60V
DE5L60U Diode Schottky 5A 600V TO-252
B817 (2SB817) & D1047 (2SD1047) 160V/12A TO-3P công suất âm thanh
LM2676S-ADJ 2676 3A 1.2-37V IC nguồn xung chính hãng TO-263
IC nguồn LM2595T-ADJ TO-220-5
TC74VHC125FT 74HC125 TSSOP14
TNY267P TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
MOSFET 2SK4107/K4107 MOSFET TO3P15A 500V
74HC74A TC74HC74AF HC74 IC logic số SOP14 5.2mm
Xi lanh bàn ép máy thùa khuy mắt phượng Juki MEB 3200
TL084I TL084IDR SOP-14
74HC4053A TSSop16
6MBP20RTA060-01 IGBT Fuji 20A 600V
23N60ES 23N60 Mosfet kênh NPN 23A 600V
26C32I AM26C32IPWR AM26C32IPW TSSOP-16
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
GBU806 Diode cầu 8A 600V
GBJ2008 Diod cầu chỉnh lưu 20A800V
KBPC3510 Diode cầu 35A 1000V DIP-4
74LS07 74HC07 TSSOP-14
GBU606 Diode cầu 6A 600V
IR2118S, IR2118 IC Điều Khiển Mosfet(Driver)SOP8 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.