50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor), được thiết kế cho các ứng dụng biến tần, bộ nghịch lưu, nguồn công nghiệp, điều khiển động cơ và bộ sạc công suất cao. Linh kiện này kết hợp giữa ưu điểm của MOSFET (tốc độ chuyển mạch nhanh) và transistor lưỡng cực (dòng lớn, điện áp cao), mang lại hiệu suất và độ tin cậy vượt trội.
50T65FD1 50T65FESC MBQ50T65FESC IGBT 50A 650V TO-3P
35.000 ₫
Mã sản phẩm: 50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
STGIPS20K60 GIPS20K60 20K60 20A 600V
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
Đĩa quang. Đĩa phát xung moto trục chính máy Jack/Bruce A4-450-3 (encode)
2SK2378 K2378 TO220F N Mosfet 13A 200V
PM30CSJ060 Module IGBT Mitsubishi 30A-600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.