50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor), được thiết kế cho các ứng dụng biến tần, bộ nghịch lưu, nguồn công nghiệp, điều khiển động cơ và bộ sạc công suất cao. Linh kiện này kết hợp giữa ưu điểm của MOSFET (tốc độ chuyển mạch nhanh) và transistor lưỡng cực (dòng lớn, điện áp cao), mang lại hiệu suất và độ tin cậy vượt trội.
50T65FD1 50T65FESC MBQ50T65FESC IGBT 50A 650V TO-3P
35.000 ₫
Mã sản phẩm: 50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
IKCM15F60GA Module công suất IPM
PSS20S71F6 IGBT Mitsubishi 20A 600V
PM30RSF060 Module IPM Mitsubishi 30A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.