50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor), được thiết kế cho các ứng dụng biến tần, bộ nghịch lưu, nguồn công nghiệp, điều khiển động cơ và bộ sạc công suất cao. Linh kiện này kết hợp giữa ưu điểm của MOSFET (tốc độ chuyển mạch nhanh) và transistor lưỡng cực (dòng lớn, điện áp cao), mang lại hiệu suất và độ tin cậy vượt trội.
50T65FD1 50T65FESC MBQ50T65FESC IGBT 50A 650V TO-3P
35.000 ₫
Mã sản phẩm: 50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


K513 2SK513 TO220 N Mosfet 3A 800V
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
Đĩa quang. Đĩa phát xung moto trục chính máy Jack/Bruce A4-450-3 (encode)
IRF6643 IR6643Mosfet 6.2A 150V Dùng cho hộp máy bọ & lập trình Dahao
Bo màn hình QIXING dùng cho model 1590;1595;1599
IKCM15F60GA Module công suất IPM 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.