D649A BD649 TO-126

Giới thiệu sản phẩm

BD649 (thường được ký hiệu là D649A trên thân linh kiện) là một transistor công suất Darlington kênh NPN, được đóng gói trong kiểu vỏ TO-126 nhỏ gọn. Nhờ cấu trúc Darlington (kết hợp hai transistor bên trong một vỏ), linh kiện này sở hữu hệ số khuếch đại dòng điện (hFE) cực cao, cho phép điều khiển các tải lớn chỉ với một dòng kích nhỏ từ vi điều khiển hoặc các mạch logic thấp.

Đặc điểm nổi bật

• Hệ số khuếch đại cực đại: Cấu trúc Darlington giúp BD649 có khả năng khuếch đại dòng điện lên đến hàng nghìn lần, lý tưởng cho các ứng dụng cần độ nhạy cao.
• Khả năng chịu tải ổn định: Với dòng thu (IC) định mức 8A và điện áp chịu đựng 100V, linh kiện đáp ứng tốt các yêu cầu đóng cắt trung bình trong các hệ thống điện tử dân dụng và công nghiệp.
• Thiết kế TO-126 linh hoạt: Kích thước vỏ TO-126 nhỏ hơn TO-220 nhưng vẫn có lỗ bắt vít tản nhiệt, giúp tiết kiệm diện tích bo mạch PCB mà vẫn đảm bảo hiệu suất giải nhiệt cần thiết.
• Tích hợp Diode bảo vệ: Thường tích hợp sẵn diode chặn ngược bên trong giữa cực C và E, giúp bảo vệ transistor khỏi các xung điện ngược khi điều khiển tải cảm (như rơ-le hoặc động cơ).
• Ứng dụng đa năng: Chuyên dụng cho các mạch điều khiển relay, đèn chiếu sáng, mạch driver cho động cơ bước nhỏ, và các tầng khuếch đại công suất thấp trong âm thanh.

Thông số kỹ thuật chính

• Loại Transistor: NPN Darlington
• Điện áp Cực thu – Cực phát (VCEO): 100V
• Dòng cực thu liên tục (IC): 8A
• Dòng cực thu đỉnh (ICM): 12A
• Công suất tiêu tán (Pd): 62.5W (khi có tản nhiệt)
• Kiểu vỏ: TO-126