Giới thiệu
HY3810 là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) siêu công suất được đóng gói chuẩn TO-220, nổi tiếng với khả năng chịu dòng cực đại lên đến 180A và điện áp 100V. Sử dụng công nghệ Trench tiên tiến, HY3810 sở hữu nội trở (Rds on) cực thấp, giúp tối ưu hóa hiệu suất và giảm thiểu tỏa nhiệt. Đây là linh kiện “vàng” cho các hệ thống yêu cầu dòng tải lớn như bộ điều khiển xe điện, máy hàn điện tử, và các hệ thống lưu trữ năng lượng mặt trời.
Đặc điểm nổi bật
- Dòng tải siêu khủng 180A: Khả năng chịu dòng liên tục cực cao giúp linh kiện xử lý dễ dàng các tác vụ nặng mà không cần ghép song song quá nhiều Mosfet, tiết kiệm diện tích bo mạch.
- Điện áp chịu đựng 100V: Phù hợp cho các hệ thống pin và ắc quy hệ 24V, 36V, 48V, đảm bảo ngưỡng an toàn cao trước các xung áp ngược.
- Nội trở (Rds on) siêu thấp: Giảm thiểu tối đa tổn hao công suất dưới dạng nhiệt năng, giúp hệ thống đạt hiệu suất cao nhất và kéo dài tuổi thọ linh kiện.
- Tốc độ chuyển mạch nhanh: Cho phép hoạt động ổn định trong các mạch băm xung (PWM) tần số cao, mạch Inverter hoặc bộ chuyển đổi DC-DC công suất lớn.
- Gói TO-220 tản nhiệt tốt: Thiết kế nhỏ gọn nhưng có khả năng truyền nhiệt hiệu quả khi gắn kèm tản nhiệt nhôm, phù hợp cho cả lắp ráp thủ công và sản xuất hàng loạt.


2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V
K3177 2SK3177 TO-220F 15A 200V
PSS30S71F6 Module IGBT 30A/600V
IKCM15L60GD Module công suất IPM
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
6MBP20RTA060-01 IGBT Fuji 20A 600V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.