Giới thiệu
K3537 (2SK3537) là dòng MOSFET kênh N công suất cao nổi bật với khả năng dẫn dòng cực mạnh và điện áp chịu đựng tầm trung. Với dòng định mức lên đến 33A và điện áp đánh thủng 150V trong gói vỏ cách điện TO-220F, linh kiện này được tối ưu hóa cho các mạch chuyển mạch công suất, bộ điều khiển động cơ DC và các hệ thống quản lý năng lượng yêu cầu độ bền bỉ và tính an toàn cao trong lắp ráp.
Đặc điểm nổi bật
- Khả năng dẫn dòng vượt trội (33A): Đáp ứng tốt các tải công suất lớn, giúp linh kiện vận hành ổn định trong các bộ kích khởi động, mạch sạc năng lượng mặt trời và các thiết bị viễn thông.
- Điện áp chịu đựng 150V: Mức áp 150V lý tưởng cho các hệ thống điện áp 48V, 60V hoặc 72V, giúp chịu đựng tốt các xung điện phản hồi mà không gây hỏng hóc linh kiện.
- Vỏ bọc cách điện TO-220F: Thiết kế nhựa hoàn toàn (Full-Pack) cho phép lắp đặt trực tiếp lên tản nhiệt mà không cần lót cách điện, giúp tối ưu hóa quy trình lắp ráp và ngăn ngừa rủi ro phóng điện ra vỏ thiết bị.
- Điện trở nội (Rds on) thấp: Giảm thiểu tổn hao nhiệt năng trên thân linh kiện, giúp nâng cao hiệu suất tổng thể của mạch điện và giảm kích thước tản nhiệt cần thiết.
- Tốc độ chuyển mạch nhanh: Cấu trúc MOSFET kênh N hiện đại giúp K3537 đóng ngắt nhanh chóng, phù hợp hoàn hảo cho các mạch băm xung PWM và các bộ biến đổi điện áp DC-DC cao tần.

P280 TLP280-1 SOP-4
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
IKCM15L60GD Module công suất IPM
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
PM30CSJ060 Module IGBT Mitsubishi 30A-600V
IR2108 2108 DIP8 IC ĐIỀU KHIỂN MOSFET (DRIVER)
TB6560AHQ IC điều khiển cho động cơ ZIP25
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V
FSBB15CH60 IGBT 15A 600V
6N139, A6N139, EL6N139 Opto DIP-8
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
MOC3020 Opto DIP-6 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.