Giới thiệu
IKA15N60T (ký hiệu thường gặp K15T60) là dòng linh kiện IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao thuộc dòng TrenchStop của Infineon. Với sự kết hợp giữa tốc độ đóng cắt của Mosfet và khả năng chịu tải của Transistor lưỡng cực, K15T60 được tối ưu hóa cho các mạch nghịch lưu, điều khiển động cơ và bộ nguồn xung (SMPS). Với thông số 15A 600V và thiết kế vỏ cách điện hoàn toàn, đây là linh kiện lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi sự nhỏ gọn và an toàn cao.
Đặc điểm nổi bật
- Công nghệ TrenchStop tiên tiến: Giúp giảm thiểu đáng kể tổn hao năng lượng trong quá trình dẫn điện và chuyển mạch, giúp thiết bị hoạt động mát hơn và đạt hiệu suất năng lượng tối ưu.
- Vỏ cách điện TO-220 (FullPack): Thiết kế vỏ bọc nhựa hoàn toàn giúp linh kiện có thể gắn trực tiếp lên cánh tản nhiệt mà không cần tấm lót mica, giảm thiểu rủi ro ngắn mạch và đơn giản hóa quy trình lắp ráp.
- Điện áp bão hòa Vce(sat) thấp: Giảm tỏa nhiệt khi linh kiện ở trạng thái dẫn dòng, giúp tăng tuổi thọ linh kiện và độ bền cho hệ thống mạch điện.
- Tích hợp Diode phục hồi nhanh (Anti-Parallel Diode): Bảo vệ IGBT khỏi các xung dòng ngược và cải thiện hiệu suất trong các mạch tải cảm (như motor, biến áp).
- Khả năng chịu đựng ngắn mạch cao: Được thiết kế để hoạt động ổn định và có khả năng tự bảo vệ tốt trong các tình huống xảy ra sự cố điện đột ngột.


K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
FSBB15CH60 IGBT 15A 600V
K3177 2SK3177 TO-220F 15A 200V
IKCM15F60GA Module công suất IPM
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
TOP242YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trẵng
PM15CSJ060 Module Mitsubishi IPM 15A 600V
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
K513 2SK513 TO-220 3A 800V
6MBP20RTA060-01 IGBT Fuji 20A 600V
IR2108 2108 DIP8 IC ĐIỀU KHIỂN MOSFET (DRIVER)
K3004 2SK3004 TO220F 18A 250V
TNY278GN IC nguồn xung SOP-7
K3115 2SK3115 TO-220F 6A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.