Giới thiệu sản phẩm
2SJ222 (thường ký hiệu là J222) là dòng MOSFET kênh P (P-Channel) công suất lớn, được đóng gói trong kiểu vỏ TO-220F (vỏ nhựa cách điện toàn phần). Với khả năng chịu áp ngược lên đến -100V và dòng tải liên tục -15A, đây là linh kiện lý tưởng cho các mạch đóng cắt nguồn năng lượng cao, mạch điều khiển động cơ và các tầng khuếch đại công suất âm thanh.
Đặc điểm nổi bật
- Kênh dẫn P-Channel hiệu suất cao: Phù hợp cho các thiết kế đóng cắt ở phía cực dương (High-side switch) mà không cần mạch lái phức tạp như MOSFET kênh N.
- Vỏ cách điện TO-220F: Thiết kế bọc nhựa hoàn toàn giúp linh kiện có thể gắn trực tiếp lên tấm tản nhiệt mà không cần thêm miếng lót cách điện, giảm thiểu rủi ro chập cháy và đơn giản hóa quá trình lắp ráp.
- Nội trở thấp (Low RDS(on)): Giúp giảm thiểu tổn hao năng lượng dưới dạng nhiệt trong quá trình dẫn điện, nâng cao hiệu suất tổng thể của thiết kế.
- Khả năng chịu áp cao: Với thông số -100V, J222 hoạt động cực kỳ ổn định trong các hệ thống điện áp cao, các bộ chuyển đổi nguồn DC-DC và thiết bị viễn thông.
- Tốc độ đóng cắt nhanh: Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép ứng dụng trong các mạch điều xung (PWM) tần số cao.
Thông số kỹ thuật chính
- Loại kênh: P-Channel (Kênh P)
- Điện áp cực máng – cực nguồn (VDS): -100V
- Dòng cực máng liên tục (ID): -15A
- Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 30W (ở nhiệt độ TC = 25°C)
- Kiểu vỏ: TO-220F (Vỏ nhựa cách điện)
- Điện áp điều khiển cực cổng (VGS): ±20V

IS62C256AL-45ULI SRAM
K1938, 2SK1938 18A 500V TO-3P
IRFZ44N Mosfet Kênh-N 49A55V TO-220
TOP255PN IC nguồn xung DIP-7
IRFZ24, FZ24N, IRFZ24N Mosfet kênh N 17A 55V TO-220
TOP249YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
IRFB4310 TO220 N Mosfet 130A 100V
TOP261EN IC nguồn xung eSIP-7C
IS62WV51216BLL-55 SRAM
J20A10M TO-220F 100V 20A
IRFR4104 FR4104 40V 42A TO-252
6MBP20RH060-50 Module IGBT 20A 600V (hàng mới)
2SK3515 K3515 TO-220F 8A 450V
IRFP460 IRFP460LC IRFP460A TO247 500V 20A
J352 2SJ352 8A 200V TO-3P
A337J ACPL-337J Opto SOP-16
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.