Giới thiệu sản phẩm
2SJ222 (thường ký hiệu là J222) là dòng MOSFET kênh P (P-Channel) công suất lớn, được đóng gói trong kiểu vỏ TO-220F (vỏ nhựa cách điện toàn phần). Với khả năng chịu áp ngược lên đến -100V và dòng tải liên tục -15A, đây là linh kiện lý tưởng cho các mạch đóng cắt nguồn năng lượng cao, mạch điều khiển động cơ và các tầng khuếch đại công suất âm thanh.
Đặc điểm nổi bật
- Kênh dẫn P-Channel hiệu suất cao: Phù hợp cho các thiết kế đóng cắt ở phía cực dương (High-side switch) mà không cần mạch lái phức tạp như MOSFET kênh N.
- Vỏ cách điện TO-220F: Thiết kế bọc nhựa hoàn toàn giúp linh kiện có thể gắn trực tiếp lên tấm tản nhiệt mà không cần thêm miếng lót cách điện, giảm thiểu rủi ro chập cháy và đơn giản hóa quá trình lắp ráp.
- Nội trở thấp (Low RDS(on)): Giúp giảm thiểu tổn hao năng lượng dưới dạng nhiệt trong quá trình dẫn điện, nâng cao hiệu suất tổng thể của thiết kế.
- Khả năng chịu áp cao: Với thông số -100V, J222 hoạt động cực kỳ ổn định trong các hệ thống điện áp cao, các bộ chuyển đổi nguồn DC-DC và thiết bị viễn thông.
- Tốc độ đóng cắt nhanh: Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép ứng dụng trong các mạch điều xung (PWM) tần số cao.
Thông số kỹ thuật chính
- Loại kênh: P-Channel (Kênh P)
- Điện áp cực máng – cực nguồn (VDS): -100V
- Dòng cực máng liên tục (ID): -15A
- Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 30W (ở nhiệt độ TC = 25°C)
- Kiểu vỏ: TO-220F (Vỏ nhựa cách điện)
- Điện áp điều khiển cực cổng (VGS): ±20V


2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V
Điện trở vạch 2W 1M5 5% (10c)
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
TOP255PN IC nguồn xung DIP-7
K3067 2SK3067 TO-220F 2A 600V
K851 2SK851 TO-3P 30A 200V
2SK3515 K3515 TO-220F 8A 450V
Điện trở vạch 2W 150K 5% (10c)
PS219A4-ASTX Module IPM Mitsubishi 25A 600V
TOP250YN IC nguồn công suất 135W TO-220 (chính hãngP)
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
K2917 2SK2917 TO-3P 18A 500V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.