Giới thiệu
FQPF10N60C (thường được gọi tắt là 10N60) là MOSFET kênh N công suất cao, chịu được điện áp 600V và dòng dẫn 10A, rất phù hợp cho các ứng dụng công suất như nguồn xung (SMPS), bộ chuyển đổi công suất, inverter, driver tải và mạch điều khiển động cơ. Sử dụng vỏ TO-220F cách ly, linh kiện đảm bảo tản nhiệt tốt, an toàn và dễ dàng lắp đặt trên PCB hoặc gắn vào tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 10A.
-
Công nghệ tối ưu cho ứng dụng nguồn xung và tải công suất.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm thất thoát.
-
Vỏ TO-220F cách ly hoàn toàn, thuận tiện khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao trong môi trường công suất.
-
Dễ dàng thay thế cho các MOSFET 10A–600V khác cùng chuẩn.


K2996 2SK2996 TO220F N Mosfet 10A 600V
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
74HC4053A TSSop16
4N27 Opto DIP-6
SN74AHCT244PWR HB244 74HC244PW TSSOP20-4.4
93LC66B, 93LC66B-I/P IC EEPROM DIP-8
HCPL-0601 0601 601 Opto SOP-8
2SK2378 K2378 TO220F N Mosfet 13A 200V
6N135 Opto tốc độ cao DIP-8
FSBS15CH60 IGBT Fairchild 15A 600V
6MBP20RTA060-01 IGBT Fuji 20A 600V
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
PSS15S92F6-AG
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
FSBB30CH60 30A600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.