FGA25N120 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do ON Semiconductor / Fairchild sản xuất. Linh kiện được thiết kế cho ứng dụng chuyển mạch tần số trung bình – cao, đặc biệt trong mạch inverter, nguồn công nghiệp, bộ điều khiển động cơ, UPS và hàn điện tử.
FGA25N120 IGBT 25A 1200V TO-3P
22.000 ₫
Mã sản phẩm: FGA25N120
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng.


2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
K3155 2SK3155 TO220F 15A 150V
K2996 2SK2996 TO220F 10A 600V
K513 2SK513 TO-220 3A 800V
IRS2092S
Điện trở vạch 2W 2M 5% (10c)
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
TNY264PN IC nguồn xung SOP-7
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
Điện trở vạch 2W 3M3 5% (10c)
A337J ACPL-337J Opto SOP-16
TOP246YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
K2507 2SK2507 TO220F 25A 40V
Điện trở vạch 1/2W 1K6 5% (10c)
PSS30S92F6-AG Module công suất IGBT Mitsubishi 1200V 30A
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
2SK2638 K2638 TO220F 10A 450V
L217 LTV217 HCPL217 SOP-4
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
TNY266PN IC nguồn xung DIP-7
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
TOP247YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
K3177 2SK3177 TO-220F 15A 200V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.