FGA25N120 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do ON Semiconductor / Fairchild sản xuất. Linh kiện được thiết kế cho ứng dụng chuyển mạch tần số trung bình – cao, đặc biệt trong mạch inverter, nguồn công nghiệp, bộ điều khiển động cơ, UPS và hàn điện tử.
FGA25N120 IGBT 25A 1200V TO-3P
22.000 ₫
Mã sản phẩm: FGA25N120
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng.


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
Điện trở vạch 2W 240K 5% (10c)
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2638 K2638 TO220F 10A 450V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
K3326 2SK3326 TO-220F 10A 500V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
Điện trở vạch 1W 1K6 5% (10c)
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 2W 4M7 5% (10c)
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
K851 2SK851 TO-3P 30A 200V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.