FGA25N120 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do ON Semiconductor / Fairchild sản xuất. Linh kiện được thiết kế cho ứng dụng chuyển mạch tần số trung bình – cao, đặc biệt trong mạch inverter, nguồn công nghiệp, bộ điều khiển động cơ, UPS và hàn điện tử.
FGA25N120 IGBT 25A 1200V TO-3P
22.000 ₫
Mã sản phẩm: FGA25N120
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng.


TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
2SK2638 K2638 TO220F N MOS 10A 450V
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
TNY290PG IC nguồn xung DIP-7
6N135 Opto tốc độ cao DIP-8
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
NE5534P NE5534 IC Opamp DIP-8
74HC164D SOP14-5.2
A 316J, HCPL-316J-500, A316J Opto Driver SOP-16 CHÍNH HÃNG
74LV245 74VHC245FT TSSOP20-4.4mm
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
74HC14D Sop14-3.9
TOP246YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.