Giới thiệu
FDA24N50F là MOSFET kênh N công suất cao, chịu điện áp 500V và dòng tối đa 24A, được sử dụng phổ biến trong nguồn xung SMPS, inverter, mạch công suất, bộ điều khiển động cơ và các thiết bị công nghiệp. Với vỏ TO-3P, linh kiện có khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép hoạt động ổn định ở dòng tải lớn và môi trường yêu cầu độ bền cao.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu điện áp cao 500V, dòng tối đa 24A.
-
R<sub>DS(on)</sub> thấp, giảm tổn hao và nâng cao hiệu suất cho mạch công suất.
-
Thiết kế tối ưu cho inverter, nguồn xung, UPS, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-3P tản nhiệt tốt, phù hợp tải nặng và môi trường công nghiệp.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao, thay thế được các MOSFET 24A–500V cùng chuẩn.


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
Điện trở vạch 2W 240K 5% (10c)
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2638 K2638 TO220F 10A 450V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
K3326 2SK3326 TO-220F 10A 500V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
Điện trở vạch 1W 1K6 5% (10c)
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 2W 4M7 5% (10c)
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
K2952 2SK2952 TO220F 8.5A 400V
K3115 2SK3115 TO-220F 6A 600V
GIPS20K60 STGIPS20K60 20A 600V
K3067 2SK3067 TO-220F 2A 600V
2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
IKCM15L60GD Module công suất IPM
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.