Giới thiệu
FDA24N50F là MOSFET kênh N công suất cao, chịu điện áp 500V và dòng tối đa 24A, được sử dụng phổ biến trong nguồn xung SMPS, inverter, mạch công suất, bộ điều khiển động cơ và các thiết bị công nghiệp. Với vỏ TO-3P, linh kiện có khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép hoạt động ổn định ở dòng tải lớn và môi trường yêu cầu độ bền cao.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu điện áp cao 500V, dòng tối đa 24A.
-
R<sub>DS(on)</sub> thấp, giảm tổn hao và nâng cao hiệu suất cho mạch công suất.
-
Thiết kế tối ưu cho inverter, nguồn xung, UPS, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-3P tản nhiệt tốt, phù hợp tải nặng và môi trường công nghiệp.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao, thay thế được các MOSFET 24A–500V cùng chuẩn.


Mosfet IRFR4620 FR4620 24A 200V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3004 2SK3004 TO220F 18A 250V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
PSS30S92F6-AG Module công suất IGBT Mitsubishi 1200V 30A
FSBS15CH60 IGBT 15A 600V
K851 2SK851 TO-3P 30A 200V
IKCM15L60GD Module công suất IPM
K2996 2SK2996 TO220F 10A 600V
Điện trở vạch 2W 300K 5% (10c)
TNY264PN IC nguồn xung SOP-7
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
K2917 2SK2917 TO-3P 18A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
K2507 2SK2507 TO220F 25A 40V
IKCM30F60GA IC công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 1/2W 1K8 5% (10c)
Điện trở vạch 1/4W 1K 5% (10c)
TA8050P SIP7 IC DRIVER SIP-7
IC điều khiển động cơ FAN7388MX FAN7388 7388 SOP-20 hàng ON
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.