Giới thiệu về SDM30G60FB
SDM30G60FB là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) với khả năng chịu dòng điện 15A và điện áp tối đa 600V. Module này được thiết kế để cung cấp khả năng chuyển mạch hiệu quả và tổn thất thấp trong các hệ thống điện tử công suất cao, thường được sử dụng trong các bộ biến tần, bộ nguồn công suất cao, và các hệ thống điều khiển động cơ.
Sơ đồ cấu tạo SDM15G60FB



74HC153AF, TC74HC153A, SOP16-5.2
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
STGIPS10K60A GIPS10K60A GIPS10K60 10A 600V
F20L60U SF20L60U 20A 600v TO220
STGIPS20K60 GIPS20K60 20K60 20A 600V
FSBB15CH60 15A600V Module công suất thông minh
30F123, GT30F123 IGBT Kênh N 300V/200A TO-220
PSS30S71F6 Module IGBT 30A/600V
SD6835B SD6835 DIP-8
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
FSBB30CH60C Module công suất IPM Fairchild 30A 600V
74HC132, 74HC132, TSSOP-14
TNY277PN, TNY277P IC nguồn xung DIP-7
TNY278GN IC nguồn xung SOP-7
MUR6060PT Diode Xung60A 600V TO247
78M09, 7809 IC nguồn 9V 0.5A TO252
NCP1396BG NCP1396AG NCP1396
7812, L7812CV, L7812 IC Nguồn Ổn Áp 12V TO-220
TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
MR4020, MR 4020 IC Nguồn TO220F-7
TNY278GN TNY278 IC Nguồn xung SOP-7
GBU606 Diode cầu 6A 600V
74HC367A, 74HC367 74HC367D SOP16-3.9mm
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
74VHC373FT 74HC373D 74HC373F TSSOP
2SK2252 K2252 TO263 N MOSFET 8A 250V
MA2810 ZIP7
TL431 SOT-23
TNY264GN IC nguồn xung SOP-7 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.