Giới thiệu về SDM15G60FB
SDM15G60FB là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) với khả năng chịu dòng điện 15A và điện áp tối đa 600V. Module này được thiết kế để cung cấp khả năng chuyển mạch hiệu quả và tổn thất thấp trong các hệ thống điện tử công suất cao, thường được sử dụng trong các bộ biến tần, bộ nguồn công suất cao, và các hệ thống điều khiển động cơ.
Sơ đồ cấu tạo SDM15G60FB



AT24C02 IC nhớ EEPROM SOP8
74HC4051A SOP16-5.2mm
NE555P NE555 IC Tạo Xung Dao Động DIP-8
27C128 EPROM 128K-Bit DIP-28
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
74HCT4053M96 74HC4053D SOP16
GBU406 Diode cầu 4A 600V
TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
2SK3151 K3151 TO3P N MOSFET 50A 100V High Speed Power Switching
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
MUR6060PT Diode Xung60A 600V TO247
KBU810 GBU810 Diode cầu 8A 1000V
K851 2SK851 TO3P Mosfet
PM30RSF060 Module IPM Mitsubishi 30A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.