GIB10B60KD1 / IRGIB10B60KD1 là IGBT công suất cao tích hợp diode hồi tiếp nhanh, được thiết kế cho các ứng dụng nguồn xung, biến tần, UPS và điều khiển động cơ. Với khả năng chịu điện áp 600V và dòng định mức 10A, linh kiện này mang lại hiệu suất chuyển mạch cao, tổn hao thấp và độ ổn định vượt trội.
GIB10B60KD1 IRGIB10B60KD1IGBT 10A 600V TO-220F
12.000 ₫
Mã sản phẩm: GIB10B60KD1 / IRGIB10B60KD1
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-220F
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


Mosfet IRFR4620 FR4620 24A 200V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3004 2SK3004 TO220F 18A 250V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
PSS30S92F6-AG Module công suất IGBT Mitsubishi 1200V 30A
FSBS15CH60 IGBT 15A 600V
K851 2SK851 TO-3P 30A 200V
IKCM15L60GD Module công suất IPM
K2996 2SK2996 TO220F 10A 600V
Điện trở vạch 2W 300K 5% (10c)
TNY264PN IC nguồn xung SOP-7
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
K2917 2SK2917 TO-3P 18A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
K2507 2SK2507 TO220F 25A 40V
IKCM30F60GA IC công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 1/2W 1K8 5% (10c)
Điện trở vạch 1/4W 1K 5% (10c)
Điện trở vạch 1/4W 1K8 5% (50c) 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.