GIB10B60KD1 / IRGIB10B60KD1 là IGBT công suất cao tích hợp diode hồi tiếp nhanh, được thiết kế cho các ứng dụng nguồn xung, biến tần, UPS và điều khiển động cơ. Với khả năng chịu điện áp 600V và dòng định mức 10A, linh kiện này mang lại hiệu suất chuyển mạch cao, tổn hao thấp và độ ổn định vượt trội.
GIB10B60KD1 IRGIB10B60KD1IGBT 10A 600V TO-220F
12.000 ₫
Mã sản phẩm: GIB10B60KD1 / IRGIB10B60KD1
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-220F
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
FSBB30CH60C Module công suất IPM Fairchild 30A 600V
74HC240DWR SOP20-7.2
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V
K3177 2SK3177 TO220F N Mosfet 15A 200V
Thạch anh dao động 32M chân dán SMD3225-4P 3.2*2.5mm
Đĩa quang. Đĩa phát xung 10105007 moto trục chính juki DDL8000A (encode juki DDL8000A)
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
Bo màn hình QIXING cho model 1561;1562;1564
DPM06T60CG1 IGBT công suất 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.