G4PC30UD IRG4PC30UD TO-247 600V 12A

Giới thiệu sản phẩm

IRG4PC30UD (mã rút gọn G4PC30UD) là dòng IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất thế hệ thứ 4, được thiết kế để tối ưu hóa hiệu suất trong các mạch chuyển mạch nhanh. Với sự kết hợp hoàn hảo giữa tốc độ của MOSFET và khả năng chịu tải của Transistor lưỡng cực, linh kiện này là giải pháp lý tưởng cho các hệ thống biến tần, bộ nguồn dự phòng (UPS) và các thiết bị điện tử công nghiệp.

Đặc điểm nổi bật

• Công nghệ UltraFast CoPack: Tích hợp sẵn một diode phục hồi siêu nhanh (HEXFRED) song song ngược, giúp bảo vệ IGBT khỏi dòng điện ngược và giảm thiểu đáng kể nhiễu điện từ (EMI) trong quá trình vận hành.
• Tối ưu hóa tần số cao: Linh kiện được tinh chỉnh để hoạt động hiệu quả nhất trong dải tần số từ 8 kHz đến 40 kHz, giúp giảm kích thước các linh kiện lọc và biến áp trong mạch nguồn xung.
• Điện áp bão hòa thấp: Chỉ số VCE(on) thấp giúp giảm tổn hao công suất dẫn điện, từ đó hạn chế nhiệt lượng tỏa ra và tăng hiệu suất tổng thể của hệ thống.
• Gói TO-247 tiêu chuẩn: Thiết kế vỏ TO-247 với diện tích bề mặt lớn cho phép truyền nhiệt cực tốt ra cánh tản nhiệt, đảm bảo linh kiện hoạt động bền bỉ ở cường độ dòng điện 12A liên tục.
• Độ tin cậy vượt trội: Khả năng chịu đựng điện áp ngược lên tới 600V giúp linh kiện an toàn trước các biến động điện áp trong lưới điện công nghiệp và dân dụng.

Thông số kỹ thuật chính

• Mã sản phẩm: IRG4PC30UD / G4PC30UD
• Loại linh kiện: IGBT kênh N với Diode bảo vệ
• Điện áp cực thu – cực phát (VCES): 600V
• Dòng điện cực thu (IC): 12A (tại 100°C) / 23A (tại 25°C)
• Kiểu vỏ: TO-247
• Ứng dụng: Máy hàn điện tử, bộ điều khiển động cơ, Inverter, SMPS.