FS14SM-12A là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) được thiết kế cho các ứng dụng nguồn xung, biến tần, UPS, bộ điều khiển động cơ và thiết bị công nghiệp. Với khả năng chịu điện áp 600V và dòng định mức 14A, linh kiện này mang lại hiệu suất chuyển mạch nhanh, tổn hao thấp và độ tin cậy cao trong các mạch công suất lớn.
FS14SM-12A 14A 600V TO-3P
22.000 ₫
Mã sản phẩm: FS14SM-12A
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
TNY285PG DIP-7 IC nguồn
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
2SK3151 K3151 TO3P N MOSFET 50A 100V High Speed Power Switching
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
Mã hóa encode moto trục chính bo Qixing loại B
TNY266PN IC nguồn xung DIP-7
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.