DPM06T60CG1 là IGBT công suất (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao, được tích hợp diode hồi tiếp, phù hợp cho các ứng dụng công suất vừa và nhỏ như nguồn xung, biến tần, điều khiển động cơ và bộ nghịch lưu. Với khả năng chịu điện áp lên đến 600V và dòng định mức 6A, linh kiện này đảm bảo độ ổn định, hiệu suất chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao trong môi trường công nghiệp.
DPM06T60CG1 IGBT công suất
190.000 ₫
Mã sản phẩm : DPM06T60CG1
Loại linh kiện: IGBT
Điện áp: 600V
Dòng điện: 6A
Hình thức :
Tình trạng : Còn hàng


LM2676S-5.0, LM2676S IC Nguồn TO-263
23N50E 23A 500V TO220
NCEP15T14 140A 150V TO220
TLP290-4, TLP290 Opto quang 4 kênh SOP-16
IKCM30F60GA IC công suất IPM 30A 600V
K3568 2SK3568 TO-220 N MOSFET 12A 500V
74HC540 74VHC540FT TSSOP20
17N80C3 SPW17N80C3 Mosfet 17A 800V
74HC123PW(74LV123PW) TSSOP16-4.4mm 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.