BT40T60 / BT40T60ANF là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) được thiết kế cho các ứng dụng nguồn công nghiệp, biến tần, bộ nghịch lưu, điều khiển động cơ và hệ thống UPS. Với khả năng chịu điện áp 600V và dòng tải 40A, linh kiện này kết hợp giữa tốc độ chuyển mạch nhanh của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn của transistor, mang lại hiệu suất và độ bền vượt trội.
BT40T60 BT40T60ANF IGBT 600V 40A TO-3P
22.000 ₫
Mã sản phẩm: BT40T60 / BT40T60ANF
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
24C16N, AT24C16N, AT24C16, AT24C16A eeprom DIP-8
FSBS15CH60F 15A 600V Mới Chính Hãng Fairchild
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
A 316J, HCPL-316J-500, A316J Opto Driver SOP-16 CHÍNH HÃNG
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
74HC86D sop14-3.9
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
6N135 Opto tốc độ cao DIP-8
27C256 EPROM 256K bit DIP-28
24C08 24C08N AT24C08N DIP-8 IC chip nhớ EEPROM
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.