Giới thiệu
30F123 (mã đầy đủ GT30F123) là dòng linh kiện IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) kênh N hiệu suất cao, được đóng gói trong chuẩn chân TO-220 phổ biến. Đây là linh kiện đặc chủng thường thấy trong các mạch công suất của Tivi Plasma (đặc biệt là các dòng Panasonic), mạch xử lý tín hiệu hình ảnh và các bộ đóng cắt tốc độ cao. Với khả năng chịu dòng xung cực đại lên đến 200A và điện áp 300V, GT30F123 đảm bảo khả năng vận hành mạnh mẽ trong các điều kiện tải thay đổi liên tục.
Đặc điểm nổi bật
- Khả năng chịu dòng xung cực lớn: Dòng điện định mức liên tục ổn định và dòng xung (Peak) có thể lên tới 200A, cho phép linh kiện xử lý các cú sốc điện trong mạch công suất một cách an toàn.
- Tốc độ chuyển mạch siêu nhanh: Được tối ưu hóa cho các ứng dụng đóng cắt tần số cao, giúp giảm thiểu tổn hao năng lượng trong quá trình chuyển trạng thái và nâng cao hiệu suất tổng thể của thiết bị.
- Điện áp bão hòa thấp: Chỉ số $V_{CE(sat)}$ thấp giúp giảm lượng nhiệt tỏa ra khi linh kiện dẫn dòng, giúp hệ thống hoạt động mát hơn và tăng tuổi thọ cho các linh kiện xung quanh.
- Thiết kế chân cắm TO-220 chuẩn: Giúp việc lắp đặt vào tản nhiệt nhôm trở nên dễ dàng, đảm bảo truyền nhiệt tối ưu và thuận tiện cho việc thay thế, sửa chữa trên các bo mạch truyền thống.
- Ứng dụng đặc thù: Chuyên dụng cho mạch Sustainer (mạch X, Y) trong Tivi Plasma, các bộ nguồn xung (SMPS) và các mạch lái motor công suất trung bình.


K3115 2SK3115 TO-220F 6A 600V
IRFR4615 Mosfet N 33A 150V dung cho máy Juki 1900B/A:1790AB
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
TNY278GN IC nguồn xung SOP-7
74HC367A, 74HC367 74HC367D SOP-16-3.9mm
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.