TK10P60W 9.7A 600V TO-252

Giới thiệu

TK10P60W (ký hiệu rút gọn K10P60W) là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) công suất cao thuộc thế hệ DTMOS IV của Toshiba. Được thiết kế với công nghệ siêu tiếp giáp (Super Junction), linh kiện này mang lại sự cân bằng hoàn hảo giữa điện áp chịu đựng lên đến 600V và kích thước siêu nhỏ gọn chuẩn TO-252 (DPAK). TK10P60W là linh kiện lý tưởng cho các bộ nguồn xung (SMPS) hiệu suất cao, bộ sạc adapter máy tính, và các mạch điều khiển đèn LED yêu cầu tiết kiệm diện tích bo mạch mà vẫn đảm bảo hiệu suất đóng cắt tối ưu.

Đặc điểm nổi bật

• Công nghệ DTMOS IV tiên tiến: Giúp giảm thiểu đáng kể nội trở (Rds on) và điện dung ký sinh, từ đó giảm tổn hao trong quá trình chuyển mạch và nâng cao hiệu suất năng lượng tổng thể.
• Kích thước TO-252 (DPAK) nhỏ gọn: Thiết kế dạng dán (SMD) giúp tối ưu hóa không gian trên các bảng mạch PCB mật độ cao, phù hợp cho các thiết bị điện tử mỏng nhẹ và hiện đại.
• Khả năng chịu áp 600V: Ngưỡng điện áp cao đảm bảo linh kiện vận hành ổn định và an toàn trong các mạch nguồn xoay chiều AC-DC trực tiếp từ lưới điện dân dụng.
• Tốc độ đóng cắt cực nhanh: Đặc tính này giúp linh kiện hoạt động hiệu quả ở tần số cao, giúp giảm kích thước của các linh kiện từ tính (biến áp, cuộn cảm) trong mạch nguồn.
• Độ bền cao: Khả năng chịu được xung dòng điện lớn (Avalanche) giúp bảo vệ hệ thống trước các hiện tượng nhiễu hoặc quá tải đột ngột trên đường dây.