TF8N80C 8N80C N MOSFET 8A 800V TO220F

Giới thiệu

TF8N80C (Ký hiệu 8N80C) là dòng Transistor hiệu ứng trường công suất (N-Channel Power MOSFET) hiệu suất cao, được thiết kế để chịu được điện áp lớn và cung cấp tốc độ chuyển mạch cực nhanh. Với khả năng chịu đựng điện áp đánh thủng lên đến 800V và dòng tải liên tục 8A, linh kiện này là thành phần đóng cắt dòng điện cốt lõi trong các mạch nguồn xung. Thiết kế đóng gói chuẩn TO-220F với lớp vỏ bọc nhựa cách điện toàn phần giúp đơn giản hóa việc lắp đặt vào cánh tản nhiệt mà không cần lót tấm cách điện mica, tăng cường độ an toàn cho toàn bộ bo mạch nguồn.

Đặc điểm nổi bật

• Khả năng chịu áp cao 800V: Được thiết kế tối ưu cho các hệ thống nguồn có xung điện áp lớn, giúp MOSFET hoạt động an toàn, bền bỉ và giảm thiểu nguy cơ bị đánh thủng bởi các gai điện áp đỉnh.
• Dòng tải liên tục 8A mạnh mẽ: Đáp ứng tốt nhu cầu đóng cắt dòng điện cho các bộ nguồn công suất trung bình và lớn, đảm bảo hiệu suất chuyển đổi năng lượng tối ưu.
• Điện trở nội (RDS(on)) thấp: Tối ưu hóa cấu trúc bán dẫn giúp giảm thiểu tổn hao công suất dưới dạng nhiệt trong quá trình dẫn dòng, từ đó tiết kiệm năng lượng và giữ cho linh kiện luôn mát hơn.
• Tốc độ chuyển mạch siêu nhanh: Thời gian đáp ứng xung cực ngắn giúp nâng cao tần số hoạt động của mạch nguồn xung, giảm kích thước của các linh kiện từ tính như biến áp xung.
• Vỏ bọc cách điện TO-220F (Full-Pak): Lớp vỏ nhựa bọc kín phần lưng tản nhiệt giúp cách ly điện hoàn toàn với cánh tản nhiệt kim loại, loại bỏ nguy cơ chập cháy và tiết kiệm chi phí mua phụ kiện cách điện khi lắp ráp.
• Ứng dụng chuyên dụng: Là lựa chọn hàng đầu trong các mạch nguồn xung (SMPS), mạch định áp cao áp, bộ điều khiển đèn LED công suất lớn, adapter sạc nhanh và các mạch biến tần điều khiển động cơ.