Giới thiệu
SGT60N60FD1PN (ký hiệu rút gọn 60N60FD) là dòng IGBT công suất cao sử dụng công nghệ Field-Stop tiên tiến, được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng chuyển mạch tần số trung bình và cao. Với khả năng chịu dòng tải lên đến 60A và điện áp 600V, linh kiện này mang lại sự cân bằng hoàn hảo giữa tổn hao dẫn điện thấp và tốc độ đóng cắt nhanh. Được đóng gói trong vỏ TO-3P (TO-247) bền bỉ, SGT60N60FD1PN là lựa chọn tin cậy cho các thiết bị như máy hàn điện tử, bộ lưu điện (UPS) và các mạch biến tần công nghiệp.
Đặc điểm nổi bật
- Công nghệ Field-Stop IGBT: Cấu trúc này giúp linh kiện có điện áp bão hòa cực thấp (low Vce sat), giúp giảm thiểu nhiệt lượng tỏa ra trong quá trình dẫn điện và nâng cao hiệu suất năng lượng.
- Tích hợp Diode phục hồi nhanh: Linh kiện đi kèm với một diode song song có thời gian phục hồi cực ngắn, giúp bảo vệ IGBT khỏi các dòng điện ngược và giảm nhiễu nhiễu điện từ (EMI) khi hoạt động.
- Dòng tải 60A mạnh mẽ: Chịu được cường độ dòng điện lớn liên tục, phù hợp cho các khối công suất của máy hàn que, máy hàn khí (MIG/MAG) hoặc các bộ biến đổi năng lượng mặt trời.
- Gói TO-3P (TO-247) tản nhiệt tối ưu: Thiết kế vỏ lớn với bề mặt tiếp xúc kim loại rộng giúp truyền nhiệt cực nhanh ra cánh tản nhiệt, đảm bảo linh kiện hoạt động ổn định dưới tải nặng kéo dài.
- Khả năng chịu đựng ngắn mạch: Được thiết kế để chịu được các sự cố ngắn mạch trong thời gian ngắn, tăng cường độ an toàn và tuổi thọ cho toàn bộ hệ thống mạch điều khiển.


TNY284PG IC nguồn xung DIP-7
2SK3151 K3151 TO3P N MOSFET 50A 100V High Speed Power Switching 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.