SGT20N60FD1 G20N60 SGH20N60 40A600V TO3P

Giới thiệu

SGT20N60FD1 (các mã tương đương G20N60, SGH20N60) là MOSFET kênh N công suất lớn, chịu được điện áp 600V và dòng tối đa 40A, thích hợp cho các ứng dụng công suất cao như nguồn xung, inverter, bộ điều khiển động cơ, UPS và các mạch công nghiệp nặng. Vỏ TO-3P giúp tản nhiệt tối ưu, đảm bảo MOSFET hoạt động ổn định dưới tải nặng liên tục.

Đặc điểm nổi bật

• MOSFET kênh N chịu điện áp cao 600V, dòng tối đa 40A.

• Điện trở R_DS(on) thấp, hiệu suất cao, giảm tổn hao nhiệt.

• Thiết kế tối ưu cho các ứng dụng công suất cao, nguồn xung SMPS, inverter, UPS.

• Vỏ TO-3P giúp tản nhiệt cực tốt và tăng độ bền thiết bị.

• Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao, phù hợp mạch công nghiệp và tải nặng.

• Thay thế tương đương các MOSFET 40A–600V cùng chuẩn.