RU1H35L TO-252 40A 100V

Giới thiệu

RU1H35L là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) công suất cao, được sản xuất với công nghệ Trench tiên tiến nhằm tối ưu hóa mật độ dòng điện và giảm thiểu điện tích cổng. Với khả năng chịu dòng tải lên đến 40A và điện áp đánh thủng 100V, RU1H35L là linh kiện lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu đóng cắt nhanh, hiệu suất cao và độ bền nhiệt tốt. Kiểu đóng gói TO-252 (DPAK) giúp linh kiện này vừa đảm bảo tính nhỏ gọn cho các thiết bị hiện đại, vừa duy trì khả năng tản nhiệt hiệu quả trên bề mặt PCB.

Đặc điểm nổi bật

• Công nghệ Trench MOSFET: Cấu trúc cực cổng dạng rãnh giúp giảm đáng kể điện trở thuần khi dẫn (RDS(on)), từ đó giảm tổn hao công suất dưới dạng nhiệt năng, cho phép linh kiện hoạt động mát hơn.
• Khả năng chịu dòng tải lớn: Với định mức dòng điện lên đến 40A, RU1H35L đáp ứng tốt các yêu cầu khởi động của động cơ DC, các bộ biến đổi nguồn DC-DC và các mạch bảo vệ pin (BMS).
• Điện áp chịu đựng cao (100V): Cung cấp biên độ an toàn rộng cho các hệ thống điện 24V, 36V hoặc 48V, giúp hệ thống chống lại các xung điện áp tức thời (Voltage Spikes).
• Điện tích cổng (Gate Charge) thấp: Giúp rút ngắn thời gian đóng mở, cho phép Mosfet hoạt động ở tần số cao mà vẫn duy trì hiệu suất năng lượng tối ưu.
• Độ bền Avalanche: Được kiểm tra nghiêm ngặt về khả năng chịu đựng xung năng lượng đột ngột, đảm bảo độ tin cậy trong các môi trường công nghiệp khắc nghiệt và tải cảm ứng.
• Gói TO-252 (DPAK) chuyên dụng: Thiết kế chân dán công suất (Surface Mount) với tấm tản nhiệt lớn phía sau, tối ưu cho các dây chuyền sản xuất tự động SMT.