Giới thiệu
HY3810 là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) siêu công suất được đóng gói chuẩn TO-220, nổi tiếng với khả năng chịu dòng cực đại lên đến 180A và điện áp 100V. Sử dụng công nghệ Trench tiên tiến, HY3810 sở hữu nội trở (Rds on) cực thấp, giúp tối ưu hóa hiệu suất và giảm thiểu tỏa nhiệt. Đây là linh kiện “vàng” cho các hệ thống yêu cầu dòng tải lớn như bộ điều khiển xe điện, máy hàn điện tử, và các hệ thống lưu trữ năng lượng mặt trời.
Đặc điểm nổi bật
- Dòng tải siêu khủng 180A: Khả năng chịu dòng liên tục cực cao giúp linh kiện xử lý dễ dàng các tác vụ nặng mà không cần ghép song song quá nhiều Mosfet, tiết kiệm diện tích bo mạch.
- Điện áp chịu đựng 100V: Phù hợp cho các hệ thống pin và ắc quy hệ 24V, 36V, 48V, đảm bảo ngưỡng an toàn cao trước các xung áp ngược.
- Nội trở (Rds on) siêu thấp: Giảm thiểu tối đa tổn hao công suất dưới dạng nhiệt năng, giúp hệ thống đạt hiệu suất cao nhất và kéo dài tuổi thọ linh kiện.
- Tốc độ chuyển mạch nhanh: Cho phép hoạt động ổn định trong các mạch băm xung (PWM) tần số cao, mạch Inverter hoặc bộ chuyển đổi DC-DC công suất lớn.
- Gói TO-220 tản nhiệt tốt: Thiết kế nhỏ gọn nhưng có khả năng truyền nhiệt hiệu quả khi gắn kèm tản nhiệt nhôm, phù hợp cho cả lắp ráp thủ công và sản xuất hàng loạt.


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
Điện trở vạch 2W 240K 5% (10c)
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2638 K2638 TO220F 10A 450V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
K3326 2SK3326 TO-220F 10A 500V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
Điện trở vạch 1W 1K6 5% (10c)
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 2W 4M7 5% (10c)
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
K851 2SK851 TO-3P 30A 200V
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
TNY284PG IC nguồn xung DIP-7
Điện trở vạch 2W 430K 5% (10c)
K2996 2SK2996 TO220F 10A 600V
K513 2SK513 TO-220 3A 800V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.