Giới thiệu
K3995 (2SK3995) là dòng MOSFET kênh N (N-Channel) hiệu năng cao, được đóng gói theo tiêu chuẩn dán bề mặt TO-263 (D2PAK). Với khả năng chịu dòng điện cực lớn lên đến 30A và điện áp 200V, linh kiện này được thiết kế tối ưu cho các mạch chuyển mạch công suất, bộ điều khiển động cơ DC, và các hệ thống quản lý năng lượng yêu cầu tốc độ phản hồi nhanh và tổn hao thấp.
Đặc điểm nổi bật
- Khả năng dẫn dòng mạnh mẽ (30A): Đáp ứng hoàn hảo cho các tải nặng, giúp mạch vận hành ổn định mà không bị sụt áp, phù hợp cho các bộ kích dòng hoặc mạch điều tốc động cơ.
- Điện áp chịu đựng 200V: Ngưỡng điện áp an toàn cho phép linh kiện hoạt động tốt trong các hệ thống điện áp trung bình, chống lại các xung đỉnh điện áp phát sinh trong quá trình đóng ngắt mạch.
- Kiểu đóng gói TO-263 (SMD): Thiết kế dán hiện đại giúp tối ưu không gian lắp đặt. Phần đế kim loại lớn tiếp xúc trực tiếp với đồng trên PCB giúp tản nhiệt cực nhanh, duy trì hiệu suất làm việc cao.
- Điện trở nội (RDS(on)) cực thấp: Giảm thiểu tối đa nhiệt lượng tỏa ra trong quá trình dẫn điện, giúp nâng cao hiệu suất năng lượng và giảm kích thước tản nhiệt đi kèm.
- Độ bền và tốc độ đóng cắt cao: Linh kiện có thời gian hồi đáp cực ngắn, lý tưởng cho các ứng dụng băm xung (PWM) tần số cao, giúp hệ thống hoạt động mượt mà và chính xác.


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
Điện trở vạch 2W 240K 5% (10c)
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2638 K2638 TO220F 10A 450V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
K3326 2SK3326 TO-220F 10A 500V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
Điện trở vạch 1W 1K6 5% (10c)
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 2W 4M7 5% (10c)
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
C844G, UPC844G SOP-14
TNY278GN IC nguồn xung SOP-7
TNY264PN IC nguồn xung SOP-7
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
K513 2SK513 TO-220 3A 800V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.