K3878, 2SK3878 9A 900V TO-3P

Giới thiệu

2SK3878 (thường ký hiệu là K3878 trên thân linh kiện) là một MOSFET công suất kênh N (N-Channel) hiệu suất cao được sản xuất bởi Toshiba. Với khả năng chịu đựng điện áp cực cao lên đến 900V và dòng tải 9A, đây là linh kiện lý tưởng cho các bộ nguồn xung (SMPS), mạch PFC và các bộ biến đổi điện áp yêu cầu độ tin cậy tuyệt đối. Kiểu đóng gói TO-3P lớn giúp K3878 có khả năng tản nhiệt vượt trội, đảm bảo hiệu suất ổn định trong môi trường làm việc khắc nghiệt.

Đặc điểm nổi bật

• Điện áp đánh thủng siêu cao (900V): Cung cấp biên độ an toàn cực lớn cho các hệ thống nguồn lưới AC 220V, giúp chống lại các xung đỉnh điện áp và tăng tuổi thọ cho thiết bị.
• Điện trở dẫn (Rds-on) tối ưu: Với mức trở kháng khoảng 1.0Ω, MOSFET này giảm thiểu tổn hao công suất dưới dạng nhiệt, giúp bộ nguồn đạt hiệu suất chuyển đổi cao hơn.
• Điện tích cổng (Gate Charge) thấp: Cho phép tốc độ đóng cắt nhanh, rất phù hợp cho các mạch nguồn xung (Switching) hoạt động ở tần số cao.
• Cấu trúc ống dẫn (Planar Technology): Đảm bảo sự ổn định và khả năng chịu đựng năng lượng xung (Avalanche energy) tốt, bảo vệ linh kiện khỏi các sự cố quá áp tức thời.
• Đóng gói TO-3P chuyên dụng: Kích thước lớn với bề mặt tiếp xúc kim loại rộng giúp truyền nhiệt nhanh chóng ra cánh tản nhiệt, phù hợp cho các ứng dụng công suất liên tục.